- 產(chǎn)品型號:K4U6E3S4AM-GUCL
- 制 造 商:三星半導(dǎo)體(Samsung)
- 出廠封裝:200FBGA
- 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供K4U6E3S4AM-GUCL報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!