- 產(chǎn)品型號:K4U6E3S4AM-GFCL
- 制 造 商:三星半導(dǎo)體(Samsung)
- 出廠封裝:200FBGA
- 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型號:K4U6E3S4AM-GFCL
制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
容量:16Gb
架構(gòu):x32
速率:4266 Mbps
工作電壓:1.8 / 1.1 / 0.6 V
工作溫度:-40 ~ 95 °C
封裝:200FBGA
產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)