- 產品型號:K4FBE3D4HM-GHCL
- 制 造 商:三星半導體(Samsung)
- 出廠封裝:200FBGA
- 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
深圳市諾森半導電子有限公司提供K4FBE3D4HM-GHCL報價、現(xiàn)貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
K4FBE3D4HM-GHCL >>> 三星半導體芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供三星半導體公司K4FBE3D4HM-GHCL報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購K4FBE3D4HM-GHCL?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
三星芯片型號:K4FBE3D4HM-GHCL
制造商:SAMSUNG(三星半導體)
功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
容量:32Gb
架構:x32
速率:3733 Mbps
工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作溫度:-40 ~ 105 °C
封裝:200FBGA
產品狀態(tài):批量生產