- 產(chǎn)品型號:K4F2E3S4HA-GUCL
- 制 造 商:三星半導(dǎo)體(Samsung)
- 出廠封裝:200FBGA
- 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供K4F2E3S4HA-GUCL報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
K4F2E3S4HA-GUCL >>> 三星半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供三星半導(dǎo)體公司K4F2E3S4HA-GUCL報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購K4F2E3S4HA-GUCL?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
三星芯片型號:K4F2E3S4HA-GUCL
制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
容量:12Gb
架構(gòu):x32
速率:3733 Mbps
工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作溫度:-40 ~ 125 °C
封裝:200FBGA
產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)