- 產品型號:K4B4G0846D-BYH9
- 制 造 商:三星半導體(Samsung)
- 出廠封裝:78FBGA
- 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型號:K4B4G0846D-BYH9
制造商:SAMSUNG(三星半導體)
功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
容量:4Gb
架構:512M x 8
速率:1333 Mbps
工作電壓:1.35 V
工作溫度:0 ~ 85 °C
封裝:78FBGA
產品狀態(tài):批量生產