- 產(chǎn)品型號:K4B1G1646I-BYMA
- 制 造 商:三星半導(dǎo)體(Samsung)
- 出廠封裝:96FBGA
- 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型號:K4B1G1646I-BYMA
制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器
容量:1Gb
架構(gòu):64M x 16
速率:1866 Mbps
工作電壓:1.35 V
工作溫度:0 ~ 85 °C
封裝:96FBGA
產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)