- 產(chǎn)品型號(hào):STY80NM60N
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:MAX247
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
STY80NM60N >>> ST芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ST公司STY80NM60N報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)STY80NM60N?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STY80NM60N
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
系列:MDmesh II
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):74A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):35 毫歐 @ 37A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):360nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):10100pF @ 50V
功率 - 最大值:447W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:MAX247