- 產(chǎn)品型號:STN1HNK60
- 制 造 商:ST(意法半導體)
- 出廠封裝:SOT-223
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
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ST意法半導體公司完整型號:STN1HNK60
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
系列:SuperMESH?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):400mA(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):156pF @ 25V
功率 - 最大值:3.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝:SOT-223