- 產(chǎn)品型號(hào):STL8DN6LF3
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerFlat
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STL8DN6LF3
制造廠家名稱(chēng):STMicroelectronics
描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
系列:STripFET? III
FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):20A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 4A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):668pF @ 25V
功率 - 最大值:65W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat(5x6)