- 產(chǎn)品型號:STL80N3LLH6
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerFlat
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STL80N3LLH6
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
系列:DeepGATE, STripFET VI
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1690pF @ 25V
功率 - 最大值:60W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat(5x6)