- 產(chǎn)品型號:STL160NS3LLH7
- 制 造 商:ST(意法半導體)
- 出廠封裝:PowerFlat
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
深圳市諾森半導電子有限公司提供STL160NS3LLH7報價、現(xiàn)貨供應、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
STL160NS3LLH7 >>> ST芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供ST公司STL160NS3LLH7報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購STL160NS3LLH7?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
ST意法半導體公司完整型號:STL160NS3LLH7
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
系列:DeepGATE, STripFET VII
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):160A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 18A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3245pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:PowerFlat(5x6)