- 產(chǎn)品型號:STL130N8F7
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerFlat
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6
STL130N8F7 >>> ST芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ST公司STL130N8F7報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購STL130N8F7?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STL130N8F7
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6
系列:DeepGATE, STripFET VII
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):130A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 13A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):96nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6340pF @ 40V
功率 - 最大值:135W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat(5x6)