- 產(chǎn)品型號:STH185N10F3-6
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-263-7,D2Pak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STH185N10F3-6
制造廠家名稱: STMicroelectronics
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
系列: 自動,AEC-Q101,STripFET F3
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 180A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 4.5 毫歐 @ 60A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 114.6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 6665pF @ 25V
功率 - 最大值: 315W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片)
供應(yīng)商器件封裝: H2PAK-6