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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STH160N4LF6-2

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

系列: DeepGATE，STripFET VI

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 120A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 2.2 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA（最?。?/p>

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 181nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 8130pF @ 20V

功率 - 最大值: 150W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型

供應(yīng)商器件封裝: H2Pak-2