- 產(chǎn)品型號(hào):STGWA60H65DFB
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-247-3
- 功能類別:IGBT - 單路
- 功能描述:IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
STGWA60H65DFB >>> ST芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ST公司STGWA60H65DFB報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)STGWA60H65DFB?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào): STGWA60H65DFB
制造廠家名稱: STMicroelectronics
功能總體簡(jiǎn)述: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
系列: -
IGBT 類型: 溝道和場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm): 240A
不同 Vge,Ic 時(shí)的 Vce(on): 2V @ 15V,60A
功率 - 最大值: 375W
開關(guān)能量: 1.59mJ(開),900μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 306nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值: 66ns/210ns
測(cè)試條件: 400V,60A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr): 60ns
封裝/外殼: TO-247-3
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝: TO-247 長(zhǎng)引線