- 產品型號:STF6N65M2
- 制 造 商:ST(意法半導體)
- 出廠封裝:TO-220FP
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
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ST意法半導體公司完整型號:STF6N65M2
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
系列:MDmesh?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 2A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):226pF @ 100V
功率 - 最大值:20W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商器件封裝:TO-220FP