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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STD1HN60K3

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

系列: SuperMESH3?

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 1.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 8 歐姆 @ 600mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 9.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 140pF @ 50V

功率 - 最大值: 27W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝: DPAK