- 產品型號:STD15N60M2-EP
- 制 造 商:ST(意法半導體)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
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ST意法半導體公司完整型號: STD15N60M2-EP
制造廠家名稱: STMicroelectronics
功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
系列: MDmesh M2
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 11A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 378 毫歐 @ 5.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 17nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 590pF @ 100V
功率 - 最大值: 110W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商器件封裝: DPAK