- 產(chǎn)品型號(hào):STD12N65M2
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào): STD12N65M2
制造廠家名稱: STMicroelectronics
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
系列: MDmesh M2
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 8A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 500 毫歐 @ 4A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 16.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 535pF @ 100V
功率 - 最大值: 85W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝: DPAK