- 產(chǎn)品型號:STB23NM60N
- 制 造 商:ST(意法半導體)
- 出廠封裝:D2PAK
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
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ST意法半導體公司完整型號:STB23NM60N
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
系列:MDmesh II
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):19A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 9.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2050pF @ 50V
功率 - 最大值:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:D2PAK