- 產(chǎn)品型號:STB11N52K3
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:D2PAK
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
STB11N52K3 >>> ST芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ST公司STB11N52K3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購STB11N52K3?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STB11N52K3
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
系列:SuperMESH3?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):525V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):510 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):51nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1400pF @ 50V
功率 - 最大值:125W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK