- 產(chǎn)品型號:SCT20N120
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-247-3
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: SCT20N120
制造廠家名稱: STMicroelectronics
功能總體簡述: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
系列: -
FET 類型: SiCFET N 通道,碳化硅
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 20A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 290 毫歐 @ 10A,20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 45nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 650pF @ 400V
功率 - 最大值: 175W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: HiP247