- 產(chǎn)品型號:RQJ0303PGDQA#H6
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:3-MPAK
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
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Renesas瑞薩完整型號:RQJ0303PGDQA#H6
制造廠家名稱:Renesas Electronics America
描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):68 毫歐 @ 1.6A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):625pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:3-MPAK