- 產(chǎn)品型號:NP82N04MDG-S18-AY
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-220-3
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH TO-220
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Renesas瑞薩完整型號:NP82N04MDG-S18-AY
制造廠家名稱:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH TO-220
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):82A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 41A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9000pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3