- 產(chǎn)品型號(hào):NP36P06KDG-E1-AY
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-263
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
NP36P06KDG-E1-AY >>> 瑞薩芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供瑞薩公司NP36P06KDG-E1-AY報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)NP36P06KDG-E1-AY?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Renesas瑞薩完整型號(hào):NP36P06KDG-E1-AY
制造廠家名稱(chēng):Renesas Electronics America
描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):36A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):29.5 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):54nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3100pF @ 10V
功率 - 最大值:1.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:TO-263