- 產(chǎn)品型號:NE85633-T1B-R23-A
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:TO-236-3
- 功能類別:RF 晶體管(BJT)
- 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23
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Renesas瑞薩完整型號: NE85633-T1B-R23-A
制造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購)
功能總體簡述: RF TRANSISTOR NPN SOT-23
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 12V
頻率 - 躍遷: 7GHz
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值): 1.1dB @ 1GHz
增益: 11.5dB
功率 - 最大值: 200mW
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 50 @ 20mA,10V
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商器件封裝: SOT-23