- 產(chǎn)品型號:NE651R479A-A
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:4-SMD
- 功能類別:RF FET
- 功能描述:HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
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Renesas瑞薩完整型號: NE651R479A-A
制造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購)
功能總體簡述: HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
系列: -
晶體管類型: HFET
電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
頻率: 1.9GHz
增益: 12dB
頻率 - 躍遷: -
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值): -
電壓 - 測試: 3.5V
額定電流: 1A
功率 - 最大值: -
噪聲系數(shù): -
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
電流 - 測試: 50mA
功率 - 輸出: 27dBm
電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
安裝類型: -
電壓 - 額定: 8V
封裝/外殼: 4-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: