- 產(chǎn)品型號:NE3514S02-T1C-A
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:4-SMD
- 功能類別:RF FET
- 功能描述:HJ-FET NCH 10DB S02
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Renesas瑞薩完整型號: NE3514S02-T1C-A
制造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購)
功能總體簡述: HJ-FET NCH 10DB S02
系列: -
晶體管類型: HFET
電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
頻率: 20GHz
增益: 10dB
頻率 - 躍遷: -
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值): -
電壓 - 測試: 2V
額定電流: 70mA
功率 - 最大值: -
噪聲系數(shù): 0.75dB
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
電流 - 測試: 10mA
功率 - 輸出: -
電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
安裝類型: -
電壓 - 額定: 4V
封裝/外殼: 4-SMD,扁平引線
供應商器件封裝: