- 產(chǎn)品型號(hào):NE3210S01-T1B
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:RF FET
- 功能描述:HJ-FET 13.5DB S01
NE3210S01-T1B >>> 瑞薩芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供瑞薩公司NE3210S01-T1B報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)NE3210S01-T1B?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Renesas瑞薩完整型號(hào): NE3210S01-T1B
制造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購(gòu))
功能總體簡(jiǎn)述: HJ-FET 13.5DB S01
系列: -
晶體管類型: HFET
電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
頻率: 12GHz
增益: 13.5dB
頻率 - 躍遷: -
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值): -
電壓 - 測(cè)試: 2V
額定電流: 15mA
功率 - 最大值: -
噪聲系數(shù): 0.35dB
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
電流 - 測(cè)試: 10mA
功率 - 輸出: -
電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
安裝類型: -
電壓 - 額定: 4V
封裝/外殼: *
供應(yīng)商器件封裝: