- 產(chǎn)品型號:HSG1002VE-TL-E
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:4-MFPAK
- 功能類別:RF晶體管
- 功能描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
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Renesas瑞薩完整型號:HSG1002VE-TL-E
制造廠家名稱:Renesas Electronics America
描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
系列:-
晶體管類型:NPN
電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.5V
頻率 - 躍遷:38GHz
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益:8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值:200mW
不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,2V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):35mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,鷗翼型
供應商器件封裝:4-MFPAK