- 產(chǎn)品型號:H7N1002LS-E
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V LDPAK
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Renesas瑞薩完整型號: H7N1002LS-E
制造廠家名稱: Renesas Electronics America
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V LDPAK
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 75A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 10 毫歐 @ 37.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 155nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 9700pF @ 10V
功率 - 最大值: 100W
安裝類型: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商器件封裝: *