- 產(chǎn)品型號(hào):2SJ352-E
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-3P
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
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Renesas瑞薩完整型號(hào):2SJ352-E
制造廠家名稱(chēng):Renesas Electronics America
描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):-
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):800pF @ 10V
功率 - 最大值:100W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-3P