- 產(chǎn)品型號:US6J11TR
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: US6J11TR
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡述: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
系列: -
FET 類型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 1.3A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 260 毫歐 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 290pF @ 6V
功率 - 最大值: 320mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝: UMT6