- 產(chǎn)品型號:SH8M4TB1
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導體)
- 出廠封裝:8-SOIC
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
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ROHM羅姆半導體完整型號: SH8M4TB1
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
系列: -
FET 類型: N 和 P 溝道
FET 功能: 邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 9A,7A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 18 毫歐 @ 9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 15nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1190pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝: 8-SOIC N