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RW1A025APT2CR
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ROHM羅姆半導體完整型號: RW1A025APT2CR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,1.5V 驅動

漏源極電壓(Vdss): 12V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 2.5A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 62 毫歐 @ 2.5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 16nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 2000pF @ 6V

功率 - 最大值: 400mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-563,SOT-666

供應商器件封裝: 6-WEMT


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