- 產(chǎn)品型號(hào):RSS120N03FU6TB
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SOIC
- 功能類(lèi)別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
RSS120N03FU6TB >>> ROHM羅姆芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ROHM公司RSS120N03FU6TB報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)RSS120N03FU6TB?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RSS120N03FU6TB
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
系列: -
FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 12A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 10 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 25nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 1360pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝: 8-SOP