- 產品型號:RQ3E180BNTB
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導體)
- 出廠封裝:MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
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ROHM羅姆半導體完整型號: RQ3E180BNTB
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
系列: *
FET 類型:
FET 功能:
漏源極電壓(Vdss):
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):
功率 - 最大值:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商器件封裝: