- 產(chǎn)品型號(hào):MP6M14TCR
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SOT-6
- 功能類別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
MP6M14TCR >>> ROHM羅姆芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ROHM公司MP6M14TCR報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)MP6M14TCR?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): MP6M14TCR
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
系列: -
FET 類型: N 和 P 溝道
FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 8A,6A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 25 毫歐 @ 8A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 7.3nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 470pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-6
供應(yīng)商器件封裝: MPT6