- 產品型號:ES6U1T2R
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導體)
- 出廠封裝:SOT-563,SOT-666
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
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ROHM羅姆半導體完整型號: ES6U1T2R
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡述: MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能: 二極管(隔離式),邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 1.3A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 260 毫歐 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 290pF @ 6V
功率 - 最大值: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應商器件封裝: 6-WEMT