- 產(chǎn)品型號:EMG1T2R
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導體)
- 出廠封裝:6-SMD
- 功能類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
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ROHM羅姆半導體完整型號: EMG1T2R
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
系列: -
晶體管類型: 2 個 NPN 預偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 22k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 22k
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 56 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 300mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值): 500nA
頻率 - 躍遷: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-SMD(5引線),扁引線
供應商器件封裝: EMT5