- 產(chǎn)品型號(hào):BSM180D12P2C101
- 制 造 商:ROHM(羅姆半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:模塊
- 功能類別:FET - 模塊
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): BSM180D12P2C101
制造廠家名稱: Rohm Semiconductor
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
系列: -
FET 類型: 2 個(gè) N 通道(半橋)
FET 功能: 碳化硅 (SiC)
漏源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 180A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): -
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 35.2mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): -
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 23000pF @ 10V
功率 - 最大值: 1130W
安裝類型: *
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: 模塊