- 產品型號:NVMSD6N303R2G
- 制 造 商:ON(安森美半導體)
- 出廠封裝:8-SOIC
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
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ON安森美半導體完整型號:NVMSD6N303R2G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
系列:-
FET 類型:-
FET 功能:-
漏源極電壓 (Vdss):-
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SOIC