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NVMFS5113PLT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NVMFS5113PLT1G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 10A(Ta),64A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 14 毫歐 @ 17A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 83nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 4400pF @ 25V

功率 - 最大值: 3.8W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *


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