- 產(chǎn)品型號(hào):NTR1P02LT1G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SOT-23-3
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTR1P02LT1G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):220 毫歐 @ 750mA,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):5.5nC @ 4V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):225pF @ 5V
功率 - 最大值:400mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)