- 產(chǎn)品型號(hào):NTMSD3P102R2G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SOIC
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTMSD3P102R2G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
系列:FETKY?
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:二極管(隔離式)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.34A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):85 毫歐 @ 3.05A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):750pF @ 16V
功率 - 最大值:730mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N