- 產(chǎn)品型號:NTLJD3119CTBG
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-WDFN
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTLJD3119CTBG
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
系列:μCool?
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.6A,2.3A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):65 毫歐 @ 3.8A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):3.7nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):271pF @ 10V
功率 - 最大值:710mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:6-WDFN(2x2)