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ON安森美半導體完整型號：NTD5867NLT4G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：39 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：675pF @ 25V

功率 - 最大值：36W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：D-Pak