- 產(chǎn)品型號(hào):NSVEMT1DXV6T1G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 功能描述:TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
NSVEMT1DXV6T1G >>> 安森美芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司NSVEMT1DXV6T1G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)NSVEMT1DXV6T1G?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NSVEMT1DXV6T1G
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡(jiǎn)述: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
系列: -
晶體管類型: 2 PNP(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 60V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值): 500mV @ 5mA,50mA
電流 - 集電極截止(最大值): 500pA(ICBO)
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 120 @ 1mA,6V
功率 - 最大值: 500mW
頻率 - 躍遷: 140MHz
安裝類型: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商器件封裝: *