- 產(chǎn)品型號:NSVBA114EDXV6T1G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
- 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NSVBA114EDXV6T1G
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
系列: -
晶體管類型: 2 個 PNP 預(yù)偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 10k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 10k
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 35 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值): 500nA
頻率 - 躍遷: -
功率 - 最大值: 500mW
安裝類型: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商器件封裝: *