- 產(chǎn)品型號:NGTB10N60R2DT4G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak
- 功能類別:IGBT - 單路
- 功能描述:IGBT 10A 600V DPAK
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NGTB10N60R2DT4G
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡述: IGBT 10A 600V DPAK
系列: -
IGBT 類型: -
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm): 40A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2.1V @ 15V,10A
功率 - 最大值: 72W
開關(guān)能量: 412μJ(開),140μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 53nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值: 48ns/120ns
測試條件: 300V,10A,30 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr): 90ns
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
安裝類型: 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝: DPAK